等离子体蚀刻是使用等离子体工艺从衬底表面清洗或去除材料的过程。它可以被概念化为一个两步程序。
1)通过原料气和等离子体之间的相互作用发生化学反应以产生新的物种。
2)这些生成的反应物与衬底的表面相互作用，以除去表面上的材料。
等离子体蚀刻是一种多功能工具，可以在几乎任何材料的表面上形成高精度的图案。与其他蚀刻技术相比，这些工艺具有以下几个优点：
1.这个过程相对快速，清洁和干燥。
2.兼容各种基材。
3.提高蚀刻不同图案的精度。
4.刻蚀速率得到进一步控制。
5.提供更高的选择性。
大多数等离子体蚀刻设备由射频(13.56 MHz)等离子体源组成，采用电容或电感耦合配置，基板放置在接地或偏置电极上。三种最广泛使用的等离子体蚀刻技术是：反应离子蚀刻、感应耦合等离子体蚀刻和原子层蚀刻。
离子体刻蚀机的原理是什么?
感应耦合等离子体刻蚀法是化学过程和物理过程共同作用的结果。它的基本原理是在真空低气压下，ICP 射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈，以一定比例的混合刻蚀气体经耦合辉光放电，产生高密度的等离子体，在下电极的RF 射频作用下，这些等离子体对基片表面进行轰击，基片图形区域的半导体材料的化学键被打断，与刻蚀气体生成挥发性物质，以气体形式脱离基片，从真空管路被抽走。
